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捷歐路JEOL JSM-7200F 熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡

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產(chǎn)品簡介

捷歐路JEOL JSM-7200F 熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡應用了日本電子旗艦機-JSM-7800F Prime采用的浸沒式肖特基電子槍技術，標配TTLS系統(tǒng)（Through-The-Lens System），無論是在高/低加速電壓下，空間分辨率都比傳統(tǒng)機型有了很大的提升。此外，保證300nA的束流，能兼顧...

詳細介紹

捷歐路JEOL JSM-7200F 熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡主要特點有：應用了浸沒式肖特基電子槍技術的電子光學系統(tǒng)；利用GB（Gentle Beam 模式）和各種檢測器在低加速電壓下能進行高分辨觀察和選擇信號的TTLS系統(tǒng)（Through-The-Lens System）；電磁場疊加的混合式物鏡。

捷歐路JEOL JSM-7200F 熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡的浸沒式肖特基場發(fā)射電子槍為日本電子的技術，通過對電子槍和低像差聚光鏡進行優(yōu)化，能有效利用從電子槍中發(fā)射的電子，即使電子束流很大也能獲得很細的束斑。因而可以實現(xiàn)高通量分析（EDS、WDS面分析、EBSD分析等）。TTLS（through-the-lens系統(tǒng)）是利用GB(Gentle Beam 模式）在低加速電壓下能進行高分辨率觀察和信號選擇的系統(tǒng)。利用GB（Gentle Beam 模式）通過給樣品加以偏壓，對入射電子有減速、對樣品中發(fā)射出的電子有加速作用，即使在低加速電壓（入射電壓）下，也能獲得信噪比良好的高分辨率圖像。

此外，利用安裝在TTLS的能量過濾器過濾電壓，可以調節(jié)二次電子的檢測量。這樣在極低加速電壓的條件下，用高位檢測器（UED）就可以只獲取來自樣品淺表面的大角度背散射電子。因過濾電壓用UED沒有檢測出的低能量電子，可以用高位二次電子檢測器（USD，選配件）檢測出來，因此JSM-7200F能同時獲取二次電子像和背散射電子像。

捷歐路JEOL JSM-7200F 熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡的物鏡采用了本公司新開發(fā)的混合式透鏡。

這種混合式透鏡是組合了磁透鏡和靜電透鏡的電磁場疊加型物鏡，比傳統(tǒng)的out-lens像差小，能獲得更高的空間分辨率。 JSM-7200F仍然保持了out-lens的易用性，所以可以觀察和分析磁性材料樣品。

分辨率	JSM-7200F	JSM-7200FLV
	1.0 nm(20kV)，1.6 nm(1kV)	1.0 nm(20kV)，1.6 nm(1kV)，1.8nm (30kV, LV )
放大倍率	×10～×1,000,000(120mm x 90mm photograph size); ×30～×3,000,000(1280 x 960pixels display);
加速電壓	0.01kV～30kV
束流	1pA～300nA
自動光闌角控制透鏡ACL	內(nèi)置
大景深模式	內(nèi)置
檢測器	高位檢測器(UED)、低位檢測器(LED)
樣品臺	5軸馬達驅動樣品臺
樣品移動范圍	X：70mm Y：50mm Z：2mm～41mm 傾斜－5～＋70° 旋轉360°
低真空范圍	-	10pa～300pa