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少子壽命測(cè)試儀WCT-120

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少子壽命測(cè)試儀WCT-120

詳細(xì)介紹

硅片少子壽命測(cè)試系統(tǒng)

少子壽命測(cè)試儀 WCT-120 suns-Voc測(cè)試儀

美國(guó)Sinton WCT-120少子壽命測(cè)試儀器采用了的測(cè)量和分析技術(shù)，包括類似平穩(wěn)狀態(tài)photoconductance (QSSPC)測(cè)量方法。可靈敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應(yīng)表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況。WCT一個(gè)高度被看待的研究和過程工具。QSSPC終身測(cè)量也產(chǎn)生含蓄的打開電路電壓(對(duì)照明)曲線，與最后的I-V曲線是可比較的在一個(gè)太陽(yáng)能電池過程的每個(gè)階段。

常見問題：

美國(guó)Sinton WCT-120與WT-2000測(cè)少子壽命的差異？

WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)）而WT2000是微波光電導(dǎo)。

WCT-120準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)法測(cè)少子壽命的原理？

WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)）

準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)衰減法（QSSPC）和微波光電導(dǎo)衰減法（MWPCD）的比較？

QSSPC方法*于其他測(cè)試壽命方法的一個(gè)重要之處在于它能夠在大范圍光強(qiáng)變化區(qū)間內(nèi)對(duì)過剩載流子進(jìn)行測(cè)量，同時(shí)可以結(jié)合 SRH模型，得出各種復(fù)合壽命，如體內(nèi)缺陷復(fù)合中心引起的少子復(fù)合壽命、表面復(fù)合速度等隨著載流子濃度的變化關(guān)系。

MWPCD方法測(cè)試的信號(hào)是一個(gè)微分信號(hào)，而QSSPC方法能夠測(cè)試少子壽命的真實(shí)值，MWPCD在加偏置光的情況下，結(jié)合理論計(jì)算可以得出少子壽命隨著過剩載流子的變化曲線，而QSSPC直接就能夠測(cè)得過剩載流子濃度，因此可以直接得出少子壽命與過剩載流子濃度的關(guān)系曲線，并且得到PN結(jié)的暗飽和電流密度；MWPCD由于使用的脈沖激光的光斑可以做到幾個(gè)到十幾個(gè)，甚至更小的尺寸，在照射過程中，只有這個(gè)尺寸范圍的區(qū)域才會(huì)被激發(fā)產(chǎn)生光生載流子，也就是得到的結(jié)果是局域區(qū)域的差額壽命值，這對(duì)于壽命分布不均勻的樣品來(lái)說(shuō)，結(jié)果并不具備代表性。

少子壽命測(cè)試儀性能參數(shù)？

測(cè)量原理 QSSPC（準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)）

少子壽命測(cè)量范圍 100 ns-10 ms

測(cè)試模式：QSSPC,瞬態(tài)，壽命歸一化分析

電阻率測(cè)量范圍 3–600 (undoped) Ohms/sq.

注入范圍：10¹³-10¹⁶cm^-3

感測(cè)器范圍直徑40-mm

測(cè)量樣品規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)直徑: 40–210 mm （或更小尺寸）

硅片厚度范圍 10–2000 μm

外界環(huán)境溫度 20°C–25°C

功率要求測(cè)試儀: 40 W 電腦控制器：200W 光源：60W

通用電源電壓 100–240 VAC 50/60 Hz

少子壽命測(cè)試儀成功使用用戶？

服務(wù)眾多光伏用戶：
江蘇，上海，北京，浙江，西安，四川，河北，河南等地的硅料生產(chǎn)企業(yè)及半導(dǎo)體光伏拉晶企業(yè)等等。

一、采購(gòu)項(xiàng)目名稱：硅片少子壽命測(cè)試系統(tǒng)、溶劑凈化系統(tǒng)等

二、采購(gòu)代理機(jī)構(gòu) ：杭州求是招標(biāo)代理有限公司

三、確定成交日期：2010年11月16日

四、本項(xiàng)目公告日期： 2010年11月4日、11月5日

五、項(xiàng)目成交單位：硅片少子壽命測(cè)試系統(tǒng)(z9264)：上海瞬渺光電技術(shù)有限公司

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晶體硅硅片、規(guī)定以及工藝過程中l(wèi)ifetime測(cè)試技術(shù)

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