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PEALD&CVD聯(lián)合鍍膜系統(tǒng)

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具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號

品       牌

廠商性質其他

所  在  地深圳市

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更新時間:2024-09-05 10:00:09瀏覽次數(shù):193次

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經(jīng)營模式:其他

商鋪產(chǎn)品:54條

所在地區(qū):廣東深圳市

聯(lián)系人:瞿經(jīng)理

產(chǎn)品簡介

矽碁科技利用PEALD和PECVD各自鍍膜的特點為用戶開發(fā)了PECVDPEALD聯(lián)合鍍膜系統(tǒng),用于半導體工藝中的薄膜封裝

詳細介紹


矽碁科技利用PEALD和PECVD各自鍍膜的特點為用戶開發(fā)了PECVD&PEALD聯(lián)合鍍膜系統(tǒng),用于半導體工藝中的薄膜封裝。ALD技術可以制備非常薄,非常致密的薄膜,但ALD技術制備致密薄膜需要的時間比較長,這在工業(yè)生產(chǎn)中是不能容忍的。為了克服ALD鍍膜速度慢的劣勢,將其與PECVD快速制備介質薄膜的技術集成到一起,可以實現(xiàn)多種不同材料交替堆疊的薄膜結構。實踐證明,這種交替結構的薄膜封裝性能可以達到與ALD技術同等的封裝效果,同時降低了整個封裝過程占用的時間。


ALD

1 不銹鋼腔體,雙層加熱設計;

2 等離子體增強模塊集成于腔體上蓋;

3 進口高速ALD隔膜閥;

4 12英寸基片;

5 基片加熱400℃;

6 最多可提供6路前驅物和6路工藝氣體;

7 氣路全金屬密封,并可加熱至120℃;

8 可提供前驅體鋼瓶加熱或冷卻;

9 可全自動控制工藝過程,同時也可以手動操作。


PECVD

1 基片尺寸可定制;

2 低溫工藝:< 150℃ / 350℃;

3 多層式工藝氣體導入,氣體分布均勻;

4 獨立MFC控制箱,可靈活擴充工藝氣路;

5 基片內(nèi)鍍膜均勻性優(yōu)于 ±5%;

6 可與手套箱集成;




多層薄膜封裝技術

不同技術對比


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