Laser MBE

Laser MBE
特點(diǎn)
模塊化概念,Laser MBE可以輕松升級到傳輸模塊或其他模塊
UHV PLD主腔室、利用Load-lock實(shí)現(xiàn)襯底和靶材的UHV傳輸
的工藝自動化功能,可實(shí)現(xiàn)超晶格生長
溫度測量準(zhǔn)確的耐氧襯底加熱器,1000 ℃,也可以選配激光加熱
靶臺可以屏蔽交叉污染,傳輸整個(gè)carrousel而非單個(gè)靶材
真空腔室利于系統(tǒng)升級(RHEED,等離子體源,OES/FTIR等)
SURFACE激光能量密度控制選件,99%的結(jié)果可重復(fù)性
全封閉光路,安全省事
整套交付,的在線支持
PLD/Laser MBE腔室

PLD/Laser MBE腔室
SURFACE的Laser MBE腔室專為科研而設(shè)計(jì),并提供高級Laser MBE需要的所有特征。
襯底和靶材的UHV傳輸
冷壁設(shè)計(jì)防止沉積過程中腔壁放氣
原位分析窗口和法蘭口(RHEED,OES或FTIR,質(zhì)譜儀)
沉積源和等離子體源備用法蘭口
的SURFACE襯底加熱器或激光加熱
靶臺最多可存貯5個(gè)1寸靶材
激光能量密度控制

激光能量密度控制
Laser MBE可以選配SURFACE 激光能量密度控制功能。它可以確保薄膜沉積的重復(fù)性。在每一步沉積前,自動校準(zhǔn)激光能量密度,脈沖能量隨著時(shí)間推移而始終保持恒定。
Load Lock
Loadlock腔室最多可同時(shí)裝載5個(gè)樣品和2個(gè)靶臺carrousel。
控制軟件

控制軟件
SURFACE的Laser MBE設(shè)備均是高度自動化的,可以自動控制整個(gè)沉積過程,從而確保設(shè)備易于操作。
多個(gè)工藝步驟被合并到一個(gè)沉積程序中,直觀的工藝過程可視化操作,高度靈活的數(shù)據(jù)記錄和導(dǎo)出,優(yōu)異的自我測試能力。
升級到Cluster系統(tǒng)

Cluster系統(tǒng)
Laser MBE可以輕松升級為功能齊備的cluster系統(tǒng)。在PLD主腔室和Load-lock進(jìn)樣室中間插入cluster傳輸模塊。模塊化設(shè)計(jì)和輪式支架簡化了升級過程,可根據(jù)需要和預(yù)算來升級系統(tǒng)。