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先鋒科技（香港）股份有限公司
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更新時間：2022-09-12 10:02:59瀏覽次數(shù)：308次
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TuoTuo科技基于多年微納結(jié)構(gòu)制備經(jīng)驗，自主研發(fā)高均勻度紫外光源，高保真指引光路，高精度、大行程、大承載納米位移臺等核心技術(shù)，結(jié)合高穩(wěn)定機械結(jié)構(gòu)、自動化和軟件設(shè)計，推出全自動高精度無掩模紫外光刻機。
無掩模紫外光刻機
l 微米高分辨率投影光刻
l 無需掩模板實現(xiàn)任意圖案刻寫，所見即所得，即用即刻
l 200mm行程拼接，100nm拼接精度
l 可視化指引光斑，支持套刻
l 全自動操作，圖形縮放、旋轉(zhuǎn)、定位、掃描拼接均通過軟件完成
紫外投影光刻通過將特定形狀的光斑投射到器件表面涂敷的光刻膠上，光刻膠被輻照區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)變化，在曝光、顯影后即可形成微米精度的圖樣；通過進(jìn)一步的刻蝕或蒸鍍，最終可在樣品表面形成所需要的結(jié)構(gòu)。作為材料、器件、微結(jié)構(gòu)與微器件常用的制備技術(shù)，紫外投影光刻被廣泛用于維納結(jié)構(gòu)制備、半導(dǎo)體器件電極制備、太赫茲/毫米波器件制備、光學(xué)掩模版制備、PCB制造等應(yīng)用中。
常規(guī)紫外投影光刻機需要先制作掩模板，耗材成本高、制備周期長，很難滿足材料器件實驗室對靈活性和實驗進(jìn)度的要求。近年發(fā)展起來的無掩膜光刻技術(shù)突破這一技術(shù)限制，實現(xiàn)任意形狀編程、全自動高精度大尺度拼接的無掩膜光刻，隨時將您的設(shè)計轉(zhuǎn)化為實際的成品，大幅度減少研制測試周期，強有力的助攻維納微納器件制備的“臨門一腳”。
TuoTuo科技基于多年微納結(jié)構(gòu)制備經(jīng)驗，自主研發(fā)高均勻度紫外光源，高保真指引光路，高精度、大行程、大承載納米位移臺等核心技術(shù)，結(jié)合高穩(wěn)定機械結(jié)構(gòu)、自動化和軟件設(shè)計，推出全自動高精度無掩模光刻機。
無掩模紫外光刻機特性和使用
l 高分辨率
專有設(shè)計的投影光路確保亞微米的刻寫精度：
圖1 樣例電極在5x - 100x顯微鏡下的圖樣
l 所見即所得
圖2 刻寫過程說明
圖2為刻寫過程的簡要說明。樣品表面旋涂光刻膠后置入光刻機，需刻寫圖案以位圖方式導(dǎo)入軟件。指引光將在樣品的試試圖像上指示即將刻寫的為止，可通過軟件將圖像平移/縮放/旋轉(zhuǎn)，以調(diào)節(jié)刻寫為止。經(jīng)過刻寫、顯影及后處理，即可獲得需要的微結(jié)構(gòu)。
圖3 套刻功能
在已有結(jié)構(gòu)的樣品上增刻新的結(jié)構(gòu)通常稱為“套刻”；通過指引光可以方便的指引即將刻寫的位置，并可通過軟件進(jìn)行角度、尺寸等調(diào)整，調(diào)整完成后即可將新結(jié)構(gòu)的套刻至原結(jié)構(gòu)之上。
l 高精度拼接功能
圖4 拼接功能；右下圖為全幅待刻寫圖樣，左下圖為單次曝光區(qū)域
單次曝光能夠刻寫的區(qū)域受顯微物鏡視場限制，高分辨刻寫時刻寫區(qū)域較小。大區(qū)域、高分辨刻寫時，系統(tǒng)通過樣品平移掃描的方式進(jìn)行拼接刻寫。
拼接刻寫*是自動化的，用戶只需要導(dǎo)入所需要的圖形即可。可使用軟件對圖形進(jìn)行縮放、旋轉(zhuǎn)、平移等操作，以實現(xiàn)理想的定位和尺寸。
拼接所采用的高精度平移臺保證±100nm的定位精度，確保亞微米尺度光刻的無縫過渡。拼接尺寸可達(dá)200mm。
無掩模光刻系統(tǒng)的圖樣可以實時調(diào)整，所以拼刻的圖形可以是任意形狀的而不限于周期圖樣。
l 高級功能
電動Z軸平移及自動對焦：可方便用戶對焦，并實現(xiàn)對表面凹凸、傾斜樣品的準(zhǔn)確刻寫；
環(huán)境防護：標(biāo)配UV防護功能；標(biāo)配機箱除濕功能，確保長時間自動光刻時樣品不受濕度變化影響；
灰度刻寫功能：支持對區(qū)域的曝光量進(jìn)行設(shè)定，實現(xiàn)灰度刻寫；
訂制手套箱兼容的光刻系統(tǒng)，樣品自旋涂-曝光-顯影-后處理均在手套箱內(nèi)完成，適用于對氧氣敏感的樣品；
圖5 已交互客戶的手套箱內(nèi)UV光刻系統(tǒng)示意圖
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主要技術(shù)指標(biāo)
| 手動版 | 標(biāo)準(zhǔn)板 | |
曝光波長 | 405nm | 385 nm/405nm可選 | |
光源強度 | 不低于 18 W | 不低于 14 W 不低于 18 W | |
曝光精度 | 5X 物鏡 | 8微米（確保值） | 8微米（確保值） |
20X 物鏡 | 2微米（確保值） | 2微米（確保值） | |
50X物鏡 | NA | 1微米 （確保值） 0.6微米（優(yōu)值） | |
單次 曝光面積 | 5X 物鏡 | 2 mm * 2mm | 2 mm * 2mm |
20X 物鏡 | 0.5 mm * 0.5 mm | 0.5 mm * 0.5 mm | |
50X物鏡 | NA | 0.2 mm * 0.2 mm | |
灰度曝光 | NA | 支持 | |
套刻 | 有 | 有 | |
套刻對準(zhǔn)精度 | 3 微米 | 50nm | |
套刻指引 | 460nm/520nm/620 nm | 460nm/520nm/620 nm | |
曝光均勻性 | 畫幅內(nèi)優(yōu)于85% | 畫幅內(nèi)優(yōu)于85% | |
支持基片尺寸 | 5毫米 * 5毫米（最?。?/span> 20毫米*20毫米（） | 5毫米 * 5毫米（最小） 150毫米*150毫米（） | |
拼接臺位移精度 | NA | 50 納米（直線光柵尺精度） | |
拼接臺行程 | 手動位移臺 12 mm （X-Y-Z) | 精密電控位移臺 100mm （X-Y)、25mm（Z 軸） | |
軟件 | 基于LabView的操作軟件 | 基于LabView的全自動軟件 | |
設(shè)備尺寸 | 70 厘米 × 70厘米 × 70厘米 | ||
設(shè)備重量 | 60 千克 | 100 千克 | |
設(shè)備外殼 | UV防護外殼、內(nèi)部集成除濕設(shè)備 | ||
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