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MC-LMBE / PAC-LMBE 激光分子束外延系統(tǒng)

參考價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱深圳市科時達電子科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號
  • 所  在  地深圳市
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時間2024/2/19 17:52:38
  • 訪問次數(shù)115
產(chǎn)品標簽:

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深圳市科時達電子科技有限公司創(chuàng)建于2011年,經(jīng)過十年的發(fā)展,已經(jīng)成長為一家專注于電子材料、半導(dǎo)體儀器設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備三大產(chǎn)品領(lǐng)域的,是一家集研發(fā)、制造、銷售為一體的企業(yè)。我們的主營業(yè)務(wù)涉及了研發(fā)銷售及加工電子材料及周邊產(chǎn)品;電子光電產(chǎn)品設(shè)備研發(fā)組裝及銷售,半導(dǎo)體儀器設(shè)備銷售;國內(nèi)貿(mào)易、貨物及技術(shù)進出口;醫(yī)療器械研發(fā)及銷售;醫(yī)用耗材及醫(yī)療用品的銷售等??萍紕?chuàng)新是科時達公司的核心競爭力。我們擁有一支高度專業(yè)化的技術(shù)研發(fā)和管理團隊,建立了國內(nèi)的實驗室和光電研究中心,與多家科研機構(gòu)與大專院校開展“產(chǎn)、學(xué)、研”合作,成功開發(fā)出一系列具有高科技含量的市場產(chǎn)品,公司產(chǎn)品通國內(nèi)科研機構(gòu)的產(chǎn)品認證。同時,公司擁有電子信息領(lǐng)域相對完備的科技創(chuàng)新體系,在電子裝備、醫(yī)療設(shè)備、產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)安全等領(lǐng)域占據(jù)技術(shù)主導(dǎo)地位,肩負著支撐科技自立自強、推進國內(nèi)科技現(xiàn)代化、加快數(shù)字經(jīng)濟發(fā)展、服務(wù)社會民生的重要職責(zé)。聚焦“三大定位”主責(zé),科時達公司按照“做優(yōu)電子裝備、做大儀器設(shè)備、做精產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)、做強研發(fā)銷售”的總體布局,持續(xù)優(yōu)化核心業(yè)務(wù)體系,推動企業(yè)在科技現(xiàn)代化建設(shè)、現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)體系建設(shè)的核心關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點上“布點”,在產(chǎn)業(yè)鏈價值鏈創(chuàng)新鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)上“成線”,在關(guān)系國家、國民經(jīng)濟命脈和國計民生關(guān)鍵領(lǐng)域上“控面”。做強電子裝備,重點發(fā)展利用聲、光、電磁信號進行信息感知、傳輸、運用等的系統(tǒng)級裝備和產(chǎn)品,打造全域多維一體新一代電子裝備,不斷夯實在高??蒲蓄I(lǐng)域和高科枝企業(yè)的提供地位。做大儀器設(shè)備,重點發(fā)展半導(dǎo)體儀器基礎(chǔ)設(shè)施和醫(yī)療設(shè)備應(yīng)用與整體解決方案,全面支撐基于網(wǎng)絡(luò)信息體系的聯(lián)合和全域能力提升、國家治理能力提升和數(shù)字化發(fā)展。做精產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ),重點打造形成電子基礎(chǔ)產(chǎn)品科研和生產(chǎn)的基礎(chǔ)支撐能力,以夯實產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈自主可控能力為根本目標,推動以“科時達基因”為核心的銷售集群式發(fā)展。做強研發(fā)銷售,致力于電子產(chǎn)品的研發(fā)??茣r達公司是一家企業(yè),多年來公司研發(fā)團隊致力于電子材料、半導(dǎo)體儀器和醫(yī)療設(shè)備的研發(fā)。同時企業(yè)還致力于將產(chǎn)品做好國內(nèi)外市場銷售,在整體銷售模式中具備一套完整的銷售體系。以客戶需求為導(dǎo)向,以質(zhì)量求生存,科時達公司以超凡的品質(zhì)和優(yōu)良的服務(wù),獲得國內(nèi)外市場的一致認可;公司營銷網(wǎng)絡(luò)覆蓋,產(chǎn)品世界各地,目前已經(jīng)成為國內(nèi)電子科技行業(yè)中重要的生產(chǎn)制造基地。
激光分子束外延(Laser MBE)是上個世紀90年代發(fā)展起來的一種新型高精密制膜技術(shù),它集PLD的制膜特點和傳統(tǒng)MBE的超高真空精確控制原子尺度外延生長的原位實時監(jiān)控為一體,除保持了PLD方法制備的膜系寬,還可以生長通常的半導(dǎo)體超晶格材料,特別適合生長多元素、高熔點、復(fù)雜層狀結(jié)構(gòu)的薄膜,如超導(dǎo)體、光學(xué)晶體、鐵電體、壓電體、鐵磁體以及有機高分子等。
MC-LMBE / PAC-LMBE 激光分子束外延系統(tǒng) 產(chǎn)品信息

激光分子束外延(Laser MBE)是上個世紀90年代發(fā)展起來的一種新型高精密制膜技術(shù),它集PLD的制膜特點和傳統(tǒng)MBE的超高真空精確控制原子尺度外延生長的原位實時監(jiān)控為一體,除保持了PLD方法制備的膜系寬,還可以生長通常的半導(dǎo)體超晶格材料,特別適合生長多元素、高熔點、復(fù)雜層狀結(jié)構(gòu)的薄膜,如超導(dǎo)體、光學(xué)晶體、鐵電體、壓電體、鐵磁體以及有機高分子等,同時還能進行其相應(yīng)的激光與物質(zhì)相互作用和成膜過程的物理、化學(xué)等方面的基礎(chǔ)研究。

日本Pascal公司一直致力于PLDLaser MBE系統(tǒng)的研發(fā)工作,已經(jīng)向世界上的高?;蜓芯克峁┝烁咝阅?、高穩(wěn)定的設(shè)備。在Laser MBE中,使用脈沖激光源,而且與通過石英窗口和超高真空系統(tǒng)隔離。高能量密度的脈沖激光將靶材局部氣化而產(chǎn)生激光焰,被剝蝕的粒子獲得很高的動能,達到可以加熱的襯底表面形成薄膜。薄膜的生長過程可由反射式高能電子衍射(RHEED)系統(tǒng)監(jiān)控。RHEED的衍射條紋提供薄膜生長的晶體結(jié)構(gòu)和表面形貌,強度振蕩判斷薄膜生長的機理。其強度振蕩可由彈性散射模型進行解釋。

Pascal生產(chǎn)的Laser MBE系統(tǒng)具有如下的優(yōu)勢
1. 靶源易蒸發(fā)。即使是高熔點的材料,如氧化物,也很容易蒸發(fā)。
2. 化學(xué)計量比準確。沉積的薄膜和靶材的化學(xué)組分幾乎一樣。
3. 污染少。
4. 激光脈沖的重復(fù)頻率可進行薄膜厚度/生長速率的數(shù)字式或非連續(xù)性控制。
5. 差分抽氣結(jié)構(gòu),可在非常寬的氣壓范圍內(nèi)工作。
6. 靶材的交換簡單快捷,有利于實現(xiàn)異質(zhì)外延和多層結(jié)構(gòu)的生長。
7. 結(jié)構(gòu)緊湊,含有許多的技術(shù),如襯底加熱和樣品或靶材的進樣-自鎖交換裝置等。

用于材料科學(xué)的組合(Combinatorial)技術(shù)
一次合成一個樣品,該樣品描寫了不同合成條件的組合結(jié)果,然后進行篩選產(chǎn)品,這整個過程是一種組合化學(xué)”(Combinatorial Chemistry)。目前,這種技術(shù)在醫(yī)學(xué)或藥學(xué)的發(fā)展將顯得非常必要。而且,由此產(chǎn)生的研究結(jié)果正在呈指數(shù)上升。
為什么不在薄膜研究中引進該方案呢?從方案的初始階段,我們就一直與學(xué)術(shù)界共同研發(fā)組合式PLD統(tǒng)。我們豐富的經(jīng)驗將有助于薄膜的研究和開發(fā)。

應(yīng)用

1.藍光ZnO GaN 新材料研發(fā)
2.氧化物微奈米薄膜、STO 壓電薄膜
3.奈米磁性薄膜
4.超導(dǎo)體材料
5.高能材料
6.新組合材料 (Combinatorial Materials)

新型薄膜和器件方面的應(yīng)用

我們設(shè)計的生長系統(tǒng)可用于多種薄膜的生長,包括GaN、有機薄膜以及結(jié)型器件的制備,如金剛石、富勒烯球碳和含有氧化物的Si結(jié)型器件等。


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